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Planar MOSFET--P2系列

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Rds(on)(Ω)gs=10V Max.
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Planar MOSFET—P2系列简介

  作为领先的MOSFET分立器件设计与供应商,苏州迈志微半导体致力于推广性能卓越、质量稳定并且极具价格竞争力的全系列MOSFET产品。我们为电路设计师们提供全面的产品选择,击穿电压覆盖400V至900V,配合最先进的封装技术,为您提供2A至24A的电流选择范围。我们专注于持续改进MOSFET在电能转换过程中的系统效率和功率密度以及在苛刻环境下开关过程中的抗冲击雪崩耐量,实现快速、平稳、高效的电源管理及电能转换。

  通过采用最先进的工艺流程和版图布局结构,苏州迈志微半导体Planar MOSFET实现了功率密度最大化,从而大幅度降低电流传导过程中的导通损耗。同时,电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定;应对于高频率的开关应用,其有效降低了栅极电荷(Qg),尤其是栅极漏极间的电荷(Qgd),从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。通过采用这些先进的技术手段,MOSFET的FOM(品质因子(Qg*Rdson))得以实现行业内的领先水平。

  目前推出的量产品种包含400V~900V的电压系列,同时为您带来包括TO-247、TO-220、TO-220F、TO-252、TO-251等多款封装外形选择。

 

  特点与优势:

  • 低导通电阻
  • 低栅电荷
  • 优异的性价比
  • 高UIS耐量,100%出厂测试
  • 符合RoHS标准

 

  应用:

  • 手机、平板电脑等便携式数码产品
  • 电源管理
  • LED TV等消费类电子产品电源 ·
  • 不间断电源,逆变器和各类电力电源
    • Voltage level
    • Part number
    • Package
    • Channel Type
    • ESD Diode
    • with FRD
    • ID(A)25℃
    • Bvdss(V)
    • RDS(ON)(Ω) GS=10V Typ.
    • RDS(ON)(Ω) GS=10V Max.
    • RDS(ON) (Ω) GS=4.5V Max.
    • RDS(ON) (Ω) GS=4.5V Typ.
    • VGS (V)
    • VGS(th) (V) Typ.
    • Qg(nC) Typ.
    • Status
    • Voltage level
    • with FRD
    • ESD Diode
    • Bvdss(V)
    • R=10V Typ
    • R=10V Max
    • Qg(nC) Typ.
    • I(A)25℃
    • ID(A)25℃
    • Bvdss(V)
    • Rds(on)(Ω)gs=10V Typ.
    • Rds(on)(Ω)gs=10V Max
    • Voltage level 500V
    • Part number PDI18N50P2
    • Package TO-220/220F
    • Channel Type N
    • ESD Diode No
    • with FRD
    • ID(A)25℃ 18
    • Bvdss(V) 500
    • RDS(ON)(Ω) GS=10V Typ. 0.26
    • RDS(ON)(Ω) GS=10V Max. 0.32
    • RDS(ON) (Ω) GS=4.5V Max.
    • RDS(ON) (Ω) GS=4.5V Typ.
    • VGS (V) 30
    • VGS(th) (V) Typ. 3.5
    • Qg(nC) Typ. 87
    • Status Released
    • Voltage level 500V
    • with FRD
    • ESD Diode No
    • Bvdss(V) 500
    • R=10V Typ 0.21-0.3
    • R=10V Max 0.31-0.4
    • Qg(nC) Typ. 81-100
    • I(A)25℃ 11-20
    • ID(A)25℃ 18
    • Bvdss(V) 500
    • Rds(on)(Ω)gs=10V Typ.
    • Rds(on)(Ω)gs=10V Max 0.32
    • Voltage level 500V
    • Part number PDI20N50P2
    • Package TO-220/220F
    • Channel Type N
    • ESD Diode No
    • with FRD
    • ID(A)25℃ 20
    • Bvdss(V) 500
    • RDS(ON)(Ω) GS=10V Typ. 0.22
    • RDS(ON)(Ω) GS=10V Max. 0.27
    • RDS(ON) (Ω) GS=4.5V Max.
    • RDS(ON) (Ω) GS=4.5V Typ.
    • VGS (V) 30
    • VGS(th) (V) Typ. 3.5
    • Qg(nC) Typ. 100
    • Status Released
    • Voltage level 500V
    • with FRD
    • ESD Diode No
    • Bvdss(V) 500
    • R=10V Typ 0.21-0.3
    • R=10V Max 0.21-0.3
    • Qg(nC) Typ. 81-100
    • I(A)25℃ 11-20
    • ID(A)25℃ 20
    • Bvdss(V) 500
    • Rds(on)(Ω)gs=10V Typ.
    • Rds(on)(Ω)gs=10V Max 0.27
    • Voltage level 500V
    • Part number PDI24N50P2
    • Package TO-3P/247
    • Channel Type N
    • ESD Diode No
    • with FRD
    • ID(A)25℃ 24
    • Bvdss(V) 500
    • RDS(ON)(Ω) GS=10V Typ. 0.15
    • RDS(ON)(Ω) GS=10V Max. 0.2
    • RDS(ON) (Ω) GS=4.5V Max.
    • RDS(ON) (Ω) GS=4.5V Typ.
    • VGS (V) 30
    • VGS(th) (V) Typ. 3.5
    • Qg(nC) Typ. 143
    • Status Released
    • Voltage level 500V
    • with FRD
    • ESD Diode No
    • Bvdss(V) 500
    • R=10V Typ 0.1-0.2
    • R=10V Max 0.1-0.2
    • Qg(nC) Typ. 100以上
    • I(A)25℃ 21-30
    • ID(A)25℃ 24
    • Bvdss(V) 500
    • Rds(on)(Ω)gs=10V Typ.
    • Rds(on)(Ω)gs=10V Max 0.2
    • Voltage level 600V
    • Part number PDI2N60P2
    • Package TO-252/251/220/220F
    • Channel Type N
    • ESD Diode No
    • with FRD
    • ID(A)25℃ 2
    • Bvdss(V) 600
    • RDS(ON)(Ω) GS=10V Typ. 4
    • RDS(ON)(Ω) GS=10V Max. 4.8
    • RDS(ON) (Ω) GS=4.5V Max.
    • RDS(ON) (Ω) GS=4.5V Typ.
    • VGS (V) 30
    • VGS(th) (V) Typ. 3.5
    • Qg(nC) Typ. 6
    • Status Released
    • Voltage level 600V
    • with FRD
    • ESD Diode No
    • Bvdss(V) 600
    • R=10V Typ 2.1以上
    • R=10V Max 2.1以上
    • Qg(nC) Typ. 0-21
    • I(A)25℃ 0-10
    • ID(A)25℃ 2
    • Bvdss(V) 600
    • Rds(on)(Ω)gs=10V Typ.
    • Rds(on)(Ω)gs=10V Max 4.8
    • Voltage level 600V
    • Part number PDI4N60P2
    • Package TO-252/251/220/220F
    • Channel Type N
    • ESD Diode No
    • with FRD
    • ID(A)25℃ 4
    • Bvdss(V) 600
    • RDS(ON)(Ω) GS=10V Typ. 1.8
    • RDS(ON)(Ω) GS=10V Max. 2.2
    • RDS(ON) (Ω) GS=4.5V Max.
    • RDS(ON) (Ω) GS=4.5V Typ.
    • VGS (V) 30
    • VGS(th) (V) Typ. 3.5
    • Qg(nC) Typ. 13
    • Status Released
    • Voltage level 600V
    • with FRD
    • ESD Diode No
    • Bvdss(V) 600
    • R=10V Typ 1.1-2
    • R=10V Max 2.1以上
    • Qg(nC) Typ. 0-21
    • I(A)25℃ 0-10
    • ID(A)25℃ 4
    • Bvdss(V) 600
    • Rds(on)(Ω)gs=10V Typ.
    • Rds(on)(Ω)gs=10V Max 2.2
    • Voltage level 600V
    • Part number PDI6N60E2
    • Package TO-252/251/220/220F
    • Channel Type N
    • ESD Diode No
    • with FRD
    • ID(A)25℃ 6
    • Bvdss(V) 600
    • RDS(ON)(Ω) GS=10V Typ. 1.2
    • RDS(ON)(Ω) GS=10V Max. 1.4
    • RDS(ON) (Ω) GS=4.5V Max.
    • RDS(ON) (Ω) GS=4.5V Typ.
    • VGS (V) 30
    • VGS(th) (V) Typ. 3.5
    • Qg(nC) Typ. 18
    • Status Released
    • Voltage level 600V
    • with FRD
    • ESD Diode No
    • Bvdss(V) 600
    • R=10V Typ 1.1-2
    • R=10V Max 1.1-2
    • Qg(nC) Typ. 0-21
    • I(A)25℃ 0-10
    • ID(A)25℃ 6
    • Bvdss(V) 600
    • Rds(on)(Ω)gs=10V Typ.
    • Rds(on)(Ω)gs=10V Max 1.4
    • Voltage level 600V
    • Part number PDI6N60P2
    • Package TO-252/251/220/220F
    • Channel Type N
    • ESD Diode No
    • with FRD
    • ID(A)25℃ 6
    • Bvdss(V) 600
    • RDS(ON)(Ω) GS=10V Typ. 1.1
    • RDS(ON)(Ω) GS=10V Max. 1.3
    • RDS(ON) (Ω) GS=4.5V Max.
    • RDS(ON) (Ω) GS=4.5V Typ.
    • VGS (V) 30
    • VGS(th) (V) Typ. 3.5
    • Qg(nC) Typ. 20
    • Status Released
    • Voltage level 600V
    • with FRD
    • ESD Diode No
    • Bvdss(V) 600
    • R=10V Typ 1.1-2
    • R=10V Max 1.1-2
    • Qg(nC) Typ. 0-21
    • I(A)25℃ 0-10
    • ID(A)25℃ 6
    • Bvdss(V) 600
    • Rds(on)(Ω)gs=10V Typ.
    • Rds(on)(Ω)gs=10V Max 1.3
    • Voltage level 600V
    • Part number PDI7N60P2
    • Package TO-252/251/220/220F
    • Channel Type N
    • ESD Diode No
    • with FRD
    • ID(A)25℃ 7
    • Bvdss(V) 600
    • RDS(ON)(Ω) GS=10V Typ. 0.95
    • RDS(ON)(Ω) GS=10V Max. 1.15
    • RDS(ON) (Ω) GS=4.5V Max.
    • RDS(ON) (Ω) GS=4.5V Typ.
    • VGS (V) 30
    • VGS(th) (V) Typ. 3.5
    • Qg(nC) Typ. 26
    • Status Released
    • Voltage level 600V
    • with FRD
    • ESD Diode No
    • Bvdss(V) 600
    • R=10V Typ 0.91-1
    • R=10V Max 1.1-2
    • Qg(nC) Typ. 21-40
    • I(A)25℃ 0-10
    • ID(A)25℃ 7
    • Bvdss(V) 600
    • Rds(on)(Ω)gs=10V Typ.
    • Rds(on)(Ω)gs=10V Max 1.15
    • Voltage level 600V
    • Part number PDI8N60P2
    • Package TO-220/220F
    • Channel Type N
    • ESD Diode No
    • with FRD
    • ID(A)25℃ 8
    • Bvdss(V) 600
    • RDS(ON)(Ω) GS=10V Typ. 0.85
    • RDS(ON)(Ω) GS=10V Max. 1.05
    • RDS(ON) (Ω) GS=4.5V Max.
    • RDS(ON) (Ω) GS=4.5V Typ.
    • VGS (V) 30
    • VGS(th) (V) Typ. 3.5
    • Qg(nC) Typ. 28
    • Status Released
    • Voltage level 600V
    • with FRD
    • ESD Diode No
    • Bvdss(V) 600
    • R=10V Typ 0.81-0.9
    • R=10V Max 0.91-1
    • Qg(nC) Typ. 21-40
    • I(A)25℃ 0-10
    • ID(A)25℃ 8
    • Bvdss(V) 600
    • Rds(on)(Ω)gs=10V Typ.
    • Rds(on)(Ω)gs=10V Max 1.05
    • Voltage level 600V
    • Part number PDI10N60P2
    • Package TO-220/220F
    • Channel Type N
    • ESD Diode No
    • with FRD
    • ID(A)25℃ 10
    • Bvdss(V) 600
    • RDS(ON)(Ω) GS=10V Typ. 0.78
    • RDS(ON)(Ω) GS=10V Max. 0.95
    • RDS(ON) (Ω) GS=4.5V Max.
    • RDS(ON) (Ω) GS=4.5V Typ.
    • VGS (V) 30
    • VGS(th) (V) Typ. 3.5
    • Qg(nC) Typ. 28
    • Status Released
    • Voltage level 600V
    • with FRD
    • ESD Diode No
    • Bvdss(V) 600
    • R=10V Typ 0.71-0.8
    • R=10V Max 0.91-1
    • Qg(nC) Typ. 21-40
    • I(A)25℃ 0-10
    • ID(A)25℃ 11
    • Bvdss(V) 600
    • Rds(on)(Ω)gs=10V Typ.
    • Rds(on)(Ω)gs=10V Max 0.8
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