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Bvdss（V）
Id（A）25℃
Rds（on）（Ω）GS=10V Max.
Rds（on）（Ω）GS=4.5V Max.
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Split-Gate MOSFET—S2系列简介
Split Gate MOSFET系列产品采用屏蔽栅深沟槽(Shield Gate Deep Trench)技术，全面提升了器件的开关特性和导通特性，同时降低了器件的特征导通电阻(Rsp)和栅极电荷(Qg)。通过采用这一先进技术，最新的30V-150V中压MOSFET产品的FOM(品质因数(Rdson*Qg))比传统沟槽型功率MOSFET降低了45%。
配合先进的封装技术，Split Gate MOSFET技术致力于提升MOSFET器件在电能转换过程中的系统效率和功率密度，同时确保在苛刻环境下开关过程中的抗冲击耐量，实现快速、平稳、高效的电源管理和电能转换。
目前推出的量产品种包含30V~150V的电压系列，同时为您带来包括TO-247、TO-220、TO-220F、TO-263、TO-252、DFN 5*6等多款封装外形选择。
特点与优势：
- 极低的Rdson
- 极低的Qg和Qgd
- 快速柔软恢复的体二极管特性
- 高UIS耐量，100%出厂测试
- 符合RoHS标准
应用：
- 交流/直流电源的同步整流
- 直流电机驱动
- 逆变器
- 电池充电器和电池保护电路
- 马达控制
- 隔离的直流-直流转换器
- 不间断电源
- Voltage level
- Part number
- Package
- Channel Type
- ESD Diode
- ID (A) 25℃
- ID (A) 25℃
- Bvdss (V)
- Rds(ON) (mΩ) VGS=10V Typ.
- Rds(ON) (mΩ) VGS=10V Max.
- Rds(ON) (mΩ) VGS=4.5V Typ.
- Rds(ON) (mΩ) VGS=4.5V Max.
- VGS (V)
- VGS(th) (V) Typ.
- Qg (nC)_Vgs=4.5V Typ.
- Qg (nC)_Vgs=10V Typ.
- Status
- Bvdss (V)
- Rds(on) (mΩ) GS=4.5V Max.
- Rds(on) (mΩ) GS=10V Max.
- Voltage level 60V
- Part number PDI065N06S2
- Package DFN5*6/SOP8
- Channel Type N
- ESD Diode No
- ID (A) 25℃
- ID (A) 25℃ 48/16.5
- Bvdss (V) 68
- Rds(ON) (mΩ) VGS=10V Typ. 5.2
- Rds(ON) (mΩ) VGS=10V Max. 6.5
- Rds(ON) (mΩ) VGS=4.5V Typ. 6.6
- Rds(ON) (mΩ) VGS=4.5V Max. 8.5
- VGS (V) 20
- VGS(th) (V) Typ. 1.7
- Qg (nC)_Vgs=4.5V Typ. 18
- Qg (nC)_Vgs=10V Typ. 38.3
- Status release
- Bvdss (V) 68
- Rds(on) (mΩ) GS=4.5V Max.
- Rds(on) (mΩ) GS=10V Max. 6.5
- Voltage level 60V
- Part number PDI115N06S2
- Package DFN5*6/SOP8
- Channel Type N
- ESD Diode No
- ID (A) 25℃
- ID (A) 25℃ 41/12
- Bvdss (V) 68
- Rds(ON) (mΩ) VGS=10V Typ. 9.2
- Rds(ON) (mΩ) VGS=10V Max. 11.5
- Rds(ON) (mΩ) VGS=4.5V Typ. 12
- Rds(ON) (mΩ) VGS=4.5V Max. 14.5
- VGS (V) 20
- VGS(th) (V) Typ. 1.7
- Qg (nC)_Vgs=4.5V Typ. 9.3
- Qg (nC)_Vgs=10V Typ. 19.8
- Status release
- Bvdss (V) 68
- Rds(on) (mΩ) GS=4.5V Max.
- Rds(on) (mΩ) GS=10V Max. 11.5
- Voltage level 60V
- Part number PDI140N06S2
- Package DFN5*6/SOP8
- Channel Type N
- ESD Diode No
- ID (A) 25℃
- ID (A) 25℃ 39/11
- Bvdss (V) 68
- Rds(ON) (mΩ) VGS=10V Typ. 11
- Rds(ON) (mΩ) VGS=10V Max. 14
- Rds(ON) (mΩ) VGS=4.5V Typ. 14
- Rds(ON) (mΩ) VGS=4.5V Max. 17
- VGS (V) 20
- VGS(th) (V) Typ. 1.7
- Qg (nC)_Vgs=4.5V Typ. 8.1
- Qg (nC)_Vgs=10V Typ. 16.8
- Status release
- Bvdss (V) 68
- Rds(on) (mΩ) GS=4.5V Max.
- Rds(on) (mΩ) GS=10V Max. 14
- Voltage level 80V
- Part number PDI081N08S2
- Package DFN5*6/SOP8
- Channel Type N
- ESD Diode No
- ID (A) 25℃
- ID (A) 25℃ 38/13.2
- Bvdss (V) 88
- Rds(ON) (mΩ) VGS=10V Typ. 6.5
- Rds(ON) (mΩ) VGS=10V Max. 8.1
- Rds(ON) (mΩ) VGS=4.5V Typ. 8.2
- Rds(ON) (mΩ) VGS=4.5V Max. 10.2
- VGS (V) 20
- VGS(th) (V) Typ. 1.7
- Qg (nC)_Vgs=4.5V Typ. 18
- Qg (nC)_Vgs=10V Typ. 35.8
- Status release
- Bvdss (V) 80
- Rds(on) (mΩ) GS=4.5V Max.
- Rds(on) (mΩ) GS=10V Max. 8.1
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